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基于复合介质栅MOSFET的双晶体管光敏探测器及其信号读取办法
编号:S000019660 刷新日期: 有效日期至:2020-10-28 浏览:2475 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 江苏 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
基于复合介质栅MOSFET的双晶体管光敏探测器,每个单元探测器都是由两个晶体管构成,利用两个晶体管分别实现感光和读取功能即感光晶体管和读取晶体管:两个晶体管都是形成在复合介质栅MOSFET基底P型半导体材料(1)上方,两个晶体管通过浅槽STI隔离隔开,基底P型半导体材料正上方分别设有底层和顶层二层绝缘介质材料和控制栅极(2),二层绝缘介质材料之间设有光电子存储层(4),读取晶体管设有源漏极,用以读取信号;两个晶体管之间通过光电子存储层相连,使得读取晶体管能够读到感光晶体管通过感光存储到光电子存储层的光电子。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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