一种半导体结构的形成方法，包括步骤：提供基底，在所述基底上形成氮化硅层和氧化硅层交替分布的多层堆叠结构；对所述堆叠结构进行等离子体刻蚀，偏置功率源以脉冲的方式输出偏置功率，当偏置功率源打开时，刻蚀部分所述堆叠结构，形成刻蚀孔，当偏置功率源关闭时，在已形成的刻蚀孔的侧壁和底部形成聚合物，重复偏置功率源打开和偏置功率源关闭的过程，直至形成通孔。刻蚀步骤和聚合物形成步骤交替进行，刻蚀形成部分深度的刻蚀孔后，会相应的在刻蚀孔的侧壁形成聚合物，后续沿刻蚀孔继续刻蚀堆叠结构时，保护已形成的刻蚀孔不会被过刻蚀，从而使最终形成的通孔保持垂直的侧壁形貌。