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> 技术详情
一种半导体突波抑制器封装体结构
编号:S000018548
刷新日期:
有效日期至:
2020-11-27
浏览:
2469
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 江苏
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明涉及一种半导体突波抑制器封装体结构,包括第一导电片、第二导电片、突波抑制器、涂覆层、保护层、第一引线和第二引线,所述的突波抑制器为一PN接合型半导体晶粒,其设置在第一导电片和第二导电片中间,且分别与第一导电片和第二导电片以焊锡导电相连接,所述的涂覆层包覆在第一导电片、第二导电片和突波抑制器的外部,而保护层则包覆在涂覆层的外部,涂覆层的厚度小于突波抑制器的长度,而第一引线的一端与第一导电片连接,另一端穿过涂覆层和保护层露在外部,同样所述的第二导线的一端与第二导电片连接,另一端穿过涂覆层和保护层露在外部。本发明散热效果好、成本低、且具有绝缘、防水、耐高温、以及更好的可靠度的特点。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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