一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，在所述基底上形成介质层；在所述介质层上形成掩膜层，所述掩膜层具有暴露介质层表面的开口；以所述掩膜层为掩膜，对所述介质层进行等离子体刻蚀，偏置功率源以脉冲的方式输出偏置功率，当偏置功率源打开时，刻蚀部分所述介质层，形成刻蚀孔，当偏置功率源关闭时，在掩膜层表面形成聚合物，重复偏置功率源打开和偏置功率源关闭的过程，直至形成通孔。成通孔时，重复刻蚀步骤和聚合物的形成步骤，使得聚合物能保持一定的厚度，从而在整个刻蚀过程中，保护掩膜层不会受到损伤或损伤的速率减小，提高介质层相对于掩膜层的刻蚀选择比。