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> 技术详情
一种半导体电容器的制造方法
编号：S000018307
刷新日期：
有效日期至：
2020-11-29
浏览：
2154
次
对接邀请：
0
次
意向价格：
面议
所在区域：
中国 - 江苏
技术领域：
智能制造 - 装备制造业
转让类型：
科技服务
专利类型：
发明专利
技术成熟度：
可以量产
供应描述
本发明公开了一种半导体电容器的制造方法，包括提供衬底，在衬底上形成金属层-氧化硅层-氮化硅层-氧化硅层-金属层（MONOM）的堆栈结构，以形成半导体电容器。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式：
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