本发明公开了一种半导体器件的制造方法，在衬底上依次形成第一缓冲层、第一无定形碳层、第二缓冲层以及第二无定形碳层，利用第二无定形碳层作掩膜刻蚀第一无定形碳层形成无定形碳牺牲栅极，并利用第二缓冲层覆盖在无定形碳牺牲栅极上，并在堆叠结构侧壁形成保护层，所述保护层和覆盖在无定形碳牺牲栅极上的第二缓冲层共同保护所述无定形碳牺牲栅极，防止后续进行的氧气灰化工艺中的等离子体损伤所述无定形碳牺牲栅极，确保最终形成的金属栅极的质量。