本发明提供一种半导体元件的制造方法。该方法提供具有第一区及第二区的基底。在基底上形成第一图案化罩幕层，其在第一区中具有至少一第一开口而在第二区中具有至少一第二开口。第一开口小于第二开口。以第一图案化罩幕层为罩幕，移除部分基底，以在第一区的基底中形成至少一第一沟渠，且同时在第二区的基底中形成至少一第二沟渠。第一沟渠的宽度及深度都小于第二沟渠。移除第一图案化罩幕层。在第一沟渠上及第二沟渠上形成第一介电层。在位于第一沟渠的至少部分侧壁上的第一介电层上及位于第二沟渠的至少部分侧壁上的第一介电层上形成导体层。