一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底表面形成有具有开口的掩膜层，所述开口宽度为第一尺寸；以掩膜层为掩膜，对所述半导体衬底进行第一刻蚀，在半导体衬底内形成第一凹槽，第一刻蚀形成的第一凹槽具有倾斜侧壁，并且第一凹槽的顶部宽度为第二尺寸，所述第二尺寸大于第一凹槽的底部宽度以及第一尺寸；沿第一凹槽对所述半导体衬底进行第二刻蚀，形成具有第二深度的第二凹槽，使所述第二凹槽的侧壁倾斜度低于所述第一凹槽的倾斜度；在进行第二刻蚀之后，对半导体衬底进行第三刻蚀，直到形成预设深度的通孔，所述第三刻蚀工艺包括循环交替的刻蚀步骤和沉积步骤。上述方法可以形成宽度大于掩膜层内开口宽度的通孔。