本发明公开了一种太阳能电池背场激光PN隔离工艺，包括步骤：前清洗制绒、扩散、PN隔离、后清洗、等离子体增强化学气相沉积法沉积氮化硅、丝网印刷烧结、测试分选；所述PN隔离采用激光刻蚀，具体方法是：在太阳能电池的背面，利用光纤激光器以100～120mm/s的刻线速率围绕硅片的背面表面进行边缘刻槽，所述刻槽离硅片的边缘距离为0.5mm，刻槽深度为10～15μm，从而实现PN隔离。本发明使用激光隔离代替传统的湿法刻蚀工艺，并且对传统激光刻蚀的工艺进行了改善，完全可以满足太阳能电池生产过程中去除边缘PN结的工艺需求。