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半导体器件及其形成方法
编号:S000018843 刷新日期: 有效日期至:2020-12-22 浏览:1984 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
提供了半导体器件及其形成方法,具体公开了用于形成和使用衬垫的系统和方法。一个实施例包括:在衬底之上的层间电介质中形成开口;以及沿着开口的侧壁形成衬垫。从开口的底部去除衬垫的一部分,并且可以穿过衬垫执行清洁工艺。通过使用衬垫,可以减小或消除由清洁工艺引起的对开口侧壁的损伤。此外,衬垫可用于帮助将离子注入衬底。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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