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> 技术详情
半导体器件及其形成方法
编号:S000018843
刷新日期:
有效日期至:
2020-12-22
浏览:
2219
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
合作研发
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
提供了半导体器件及其形成方法,具体公开了用于形成和使用衬垫的系统和方法。一个实施例包括:在衬底之上的层间电介质中形成开口;以及沿着开口的侧壁形成衬垫。从开口的底部去除衬垫的一部分,并且可以穿过衬垫执行清洁工艺。通过使用衬垫,可以减小或消除由清洁工艺引起的对开口侧壁的损伤。此外,衬垫可用于帮助将离子注入衬底。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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