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连二噻吩羟吲哚基的半导体聚合物及其制备、用途
编号:S000028544 刷新日期: 有效日期至:2020-10-18 浏览:3209 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明提供了一种连二噻吩羟吲哚基的半导体聚合物及其制备、用途;所述半导体聚合物的结构式如式(I)所示:其中50>n>1;本发明还涉及前述连二噻吩羟吲哚基的半导体聚合物的制备方法以及其作为半导体有机层在聚合物太阳能电池测试中的用途。本发明披露的合成方法简单有效;本发明的连二噻吩羟吲哚基的半导体聚合物主链含有柔性的易于分子链排列的双键羟吲哚基团和侧链为促进溶解性的烷基链,材料可溶液加工处理,且具有较低的能带隙,可以应用于光伏器件。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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