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在玻璃基片上低温沉积InN薄膜的方法

编号：S000025828 刷新日期：有效日期至：2021-01-04 浏览：2472 次对接邀请：0次

意向价格：面议

所在区域：中国 - 辽宁技术领域：信息通信 - 电子信息及通讯

转让类型：合作研发

专利类型：发明专利技术成熟度：可以量产

供应描述

本发明属于新型光电材料沉积制备技术领域，提供一种可制备电学性能良好的InN光电薄膜的在玻璃基片上低温沉积InN薄膜的方法。本发明包括以下步骤：1）将玻璃基片依次用丙酮、乙醇、去离子水超声波清洗后，用氮气吹干送入反应室；2）采用ECR-PEMOCVD系统，将反应室抽真空，玻璃基片加热至20～400℃，再向反应室内通入氢气携带的三甲基铟、氮气，三甲基铟与氮气流量比为（2～4）：（100～200），控制气体总压强为0.8～2.0Pa，电子回旋共振反应30min～3h,得到在玻璃基片的InN光电薄膜。

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