本发明公开了一种超辐射发光二极管及其制作方法，包括有衬底，采用外延生长技术，在衬底上依次形成缓冲层、下限制层、有源区、上限制层和第一p型包覆层，构成一次外延片；继续采用外延生长技术，在一次外延片表面依次生长出第二p型包覆层和n型包覆层，构成二次外延片；继续采用外延生长技术，在二次外延片表面继续生成覆盖层和接触层，构成三次外延片；依次采用光刻、刻蚀、磨片和溅射工艺将三次外延片制作成超辐射发光二极管芯片，并对所述芯片的出光端面镀增透膜。本发明具有偏振灵敏度低、纹波系数小、高功率及宽光谱等优点。