本发明公开了一种用于制造半导体器件的系统和方法。一个实施例包括采用原子层沉积(ALD)工艺形成沉积层。ALD工艺可以利用第一前体并持续第一时间周期；第一清除并持续比第一时间周期更长的第二时间周期；第二前体并持续比第一时间周期更长的第三时间周期；以及第二清除并持续比第三时间周期更长的第四时间周期。本发明还公开了沉积材料及形成方法。