避免硅衬底表面损伤的方法。本发明涉及一种半导体离子注入工艺领域，具体涉及一种修复晶圆表面损伤的方法。通过在一定的温度条件下，通入一定量的含氧反应气体可保护在进行离子注入工艺时对衬底表面的牺牲氧化层造成的损伤，进而造成衬底表面的晶格损伤，以表面在后续的工艺中出现难以修复的缺陷，提升了器件性能和产品良率。