本发明适用于半导体集成电路技术领域，提供了一种基于自对准工艺的三多晶SOI SiGe HBT集成器件及制备方法，其过程为：在SOI衬底上生长N型Si外延，光刻浅槽隔离区域，制备浅槽隔离，刻蚀并磷离子注入，形成集电极接触区，依次淀积SiO₂、P-Poly-Si、SiO₂、氮化物，刻蚀出基区窗口，选择性生长SiGe基区，光刻集电极窗口，淀积N型Poly-Si，再去除掉发射极和集电极以外的Poly-Si，形成HBT器件，最后构成基区厚度为20～60nm的HBT集成电路。本发明所提出的工艺方法与现有CMOS集成电路加工工艺兼容，因此，可以在资金和设备投入很小的情况下，制备出基于SOI的SiGeBiCMOS器件及集成电路，使现有的模拟和数模混合集成电路性能获得大幅提高。