一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：第一和第二n型阱，形成在p型半导体衬底中，第二n型阱深于第一n型阱；第一和第二p型背栅区，形成在第一和第二n型阱中；第一和第二n型源极区，形成在第一和第二p型背栅区中；第一和第二n型漏极区，形成在第一和第二n型阱中，且位于与第一和第二n型源极区相对的位置处，将第一和第二p型背栅区夹在中间；以及场隔离膜，形成在该衬底上，该场隔离膜在第一和第二p型背栅区之间以及第一和第二n型漏极区之间的位置处；由此第一晶体管形成在第一n型阱中，而具有高于第一晶体管的反向电压耐受性的第二晶体管形成在第二n型阱中。本发明可形成具有反向电压耐受性的高击穿电压MOS晶体管。