本发明一种形成双应力刻蚀阻挡层及前金属介电质层的方法，包括：NMOS与PMOS晶体管区域的衬底，其中，还包括在NMOS区域沉积具有拉应力的前金属介电质层，而在PMOS区域沉积具有压应力的前金属介电质层。通过本发明一种形成双应力刻蚀阻挡层及前金属介电质层的方法，有效地使所形成的前金属介电质层的工艺过程变得简单；同时有利于提高NMOS以及PMOS的载流子迁移率，从而提高半导体器件的性能。