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一种双面场截止带埋层的RB-IGBT器件

编号：S000021141 刷新日期：有效日期至：2020-12-18 浏览：2257 次对接邀请：0次

意向价格：面议

所在区域：中国 - 四川技术领域：智能制造 - 装备制造业

转让类型：合作研发

专利类型：发明专利技术成熟度：可以量产

供应描述

一种双面场截止带埋层的RB-IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明在常规RB-IGBT结构的基础上，通过在P型基区和N^{漂移区之间，N^—漂移区与P⁺集电区之间同时引入N型FS(Field Stop)场截止层，同时在正面场截止层下方和背面场截止层上方同时引入了P型埋层，在满足器件耐压要求的条件下，通过减薄器件厚度将器件的电场由三角形转变为梯形分布。漂移区载流子浓度分布的优化增强器件体内的电导调制，降低了器件的正向导通压降和关断损耗。}

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