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一种双面场截止带埋层的RB-IGBT器件
编号:S000021141 刷新日期: 有效日期至:2020-12-18 浏览:2199 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 四川 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种双面场截止带埋层的RB-IGBT器件,属于功率半导体器件技术领域。本发明在常规RB-IGBT结构的基础上,通过在P型基区和N漂移区之间,N漂移区与P+集电区之间同时引入N型FS(Field Stop)场截止层,同时在正面场截止层下方和背面场截止层上方同时引入了P型埋层,在满足器件耐压要求的条件下,通过减薄器件厚度将器件的电场由三角形转变为梯形分布。漂移区载流子浓度分布的优化增强器件体内的电导调制,降低了器件的正向导通压降和关断损耗。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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