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一种浪涌保护电路及其制造方法
编号:S000021104 刷新日期: 有效日期至:2020-12-21 浏览:2418 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 四川 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明涉及电子电路及半导体技术,具体的说是涉及一种可编程浪涌保护电路及其制造方法。本发明所述的一种浪涌保护电路,由2只第一种导电类型的MOSFET、2只第二种导电类型的MOSFET、2只第一种导电类型的门极晶闸管和2只第二种导电类型的门极晶闸管构成,主要是利用MOSFET的漏源电流来控制晶闸管的通断,从而泄放浪涌电流,并提出了制造该浪涌电路的方法。本发明的有益效果为,具有响应速度快(ns级)、承受电压电流冲击能力强的优点,并能同时实现双线双向浪涌保护,还可根据需要调节保护器件对浪涌电压的敏感度。本发明尤其适用于浪涌保护电路。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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