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铜铟镓硒薄膜制备方法
编号:S000033456 刷新日期: 有效日期至:2020-12-12 浏览:2427 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 广东 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种铜铟镓硒薄膜制备方法,包括以下步骤:通过采用铜靶、铟靶及镓靶靶材的磁控溅射,在衬底上制备铜铟镓硒预制层,所述镓靶由三硒化二镓材料制成;所述镓靶晚于所述铟靶开始磁控溅射,并且所述镓靶晚于所述铟靶停止磁控溅射;对所述铜铟镓硒预置层进行硒化及退火,制得铜铟镓硒薄膜。在上述铜铟镓硒薄膜制备方法中,通过在磁控溅射过程中,镓靶晚于铟靶开始磁控溅射,且镓靶晚于铟靶停止磁控溅射,从而有效减少镓组分在最终所制得的铜铟镓硒薄膜的底部富集,增加镓组分在铜铟镓硒薄膜顶部的含量,达到提升开路电压的目的,此外,使用该铜铟镓硒薄膜的太阳能电池的光电转换效率较高。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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