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> 技术详情
一种用于黑硅的宽波段范围减反射方法
编号:S000033455
刷新日期:
有效日期至:
2020-12-20
浏览:
2389
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:
合作研发
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明提供了一种用于黑硅的宽波段减反射方法,包括以下步骤:1)在黑硅表面上制备一层中间层,其中所述黑硅为具有陷光结构的硅;2)在步骤1)得到的中间层上沉积金属纳米颗粒,该金属纳米颗粒为不连续的或互不接触;3)对步骤2)得到的产物进行退火处理。该方法操作简单,成本低廉,该方法有效地结合黑硅技术、表面隔离保护技术及表面等离子体技术,实现了宽波段范围内的减反射效果,有利于应用在太阳能电池的工业化生产上。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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