本申请涉及用于MOSFET开关器件电压选择的方法和设备。根据一个总的方面，一种设备包括第一电压轨以及第二电压轨。所述设备包括在第一电压轨和第二电压轨之间的第一P型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)PMOS器件，其中第一PMOS器件配置为响应于第一PMOS器件被激活而将第一电压轨电连接于第二电压轨。所述设备还可以包括第二PMOS器件，第二PMOS器件配置为响应于第二PMOS器件被激活且第一PMOS器件被去激活，将由电荷泵器件产生的电荷泵电压提供给第二电压轨。所述设备还可以包括传输门以及连接于传输门的驱动器电路，驱动器电路配置为基于第二电压轨的电压操作。