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浅沟槽隔离的制造方法和CMOS的制造方法
编号:S000021048 刷新日期: 有效日期至:2020-11-08 浏览:2504 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种浅沟槽隔离的制造方法,包括:提供衬底,所述衬底上依次形有第一氧化层和第一掩膜层,以及浅沟槽隔离槽;去除第一掩膜层,并在包括浅沟槽隔离槽槽底和侧壁的衬底表面形成第二氧化层,并在第二氧化层上沉积第二掩膜层;在第二掩膜层上沉积第三氧化层,并利用第三氧化层将所述浅沟槽隔离槽填满;回刻第三氧化层和第二掩膜层,直到将处于所述浅沟槽隔离槽以外的第二掩膜层去除;去除浅沟槽隔离槽以外的第二氧化层。本发明中,由于第二掩膜层的存在,保护了有源区(P阱和N阱)边缘和无源区(浅沟槽隔离)边缘部分,避免了该部分凹槽的产生,进而使得该处漏电得到了有效的控制,提升了半导体器件尤其是窄沟道半导体器件的性能。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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