本发明揭露一种薄化及/或切粒具有集成电路产品形成于其上的半导体衬底的方法，其中，揭示于本文的一个示范方法包括下列步骤：在结晶半导体衬底上方形成多个晶粒，照射及冷却该衬底的边缘区域以形成非晶区域于该衬底的该边缘区域中，以及在形成该非晶区域后，执行至少一个工艺操作以减少该衬底的该厚度。