本发明公开了一种p型透明导电氧化物及其掺杂非晶薄膜的制备方法，涉及半导体薄膜技术领域。本发明采用反应磁控溅射方法，控制工艺参数，制备出空穴载流子浓度和迁移率相对比于结晶氧化物薄膜同时提高的非晶薄膜。制备方法原理简单，沉积温度低，工艺参数可控性强，制备成本低廉，规模生产潜力巨大。