一种鳍式场效应晶体管栅极氧化物。本公开提供了用于制造半导体器件的方法以及这种器件。一种方法包括：提供包括至少两个隔离部件的衬底；在衬底的上方以及至少两个隔离部件之间形成鳍型衬底；在鳍型衬底的上方形成硅衬垫；以及氧化硅衬垫以在鳍型衬底的上方形成氧化硅衬垫。