本发明公开了一种逆导型IGBT半导体器件，穿通型IGBT器件的集电区由减薄后的硅基片组成，在硅基片的背面形成有沟槽，该沟槽穿过穿通型IGBT器件的集电区并和缓冲层相接触，通过在沟槽中填充第一导电类型的多晶硅或外延层、或在沟槽的底部形成第一导电类型的离子注入区来形成快速恢复二极管的第一电极区。本发明能够实现IGBT器件和快速恢复二极管的集成。本发明还公开了一种逆导型IGBT半导体器件的制造方法。