本发明公开了一种具有终端保护结构的半导体功率器件，包括有源区以及环绕该有源区设置的终端保护区，该终端保护区具有划片边缘，并包括一个填充满绝缘材料的沟槽，该沟槽自该衬底层的底部穿过该衬底层，延伸入该外延层，并且，该沟槽在宽度方向上包括一个与该划片边缘相重叠的第一边缘以及与该第一边缘相对的第二边缘，该第二边缘延伸入该有源区内的衬底层以及外延层。本发明的半导体功率器件，缩短了功率器件终端保护区的长度，并提高了功率器件的耐压能力。