一种半导体制造方法包括在衬底的第一区域上形成第一功函数金属层以及在衬底的第二区域上和第一功函数金属层上形成金属层。在金属层上形成伪层。然后图案化这些层，从而在衬底的第一区域中形成第一栅极结构并且在第二区域中形成第二栅极结构。然后去除伪层，从而暴露出被处理的金属层。该处理可以是氧处理，该氧处理使得金属层充当第二功函数层。本发明还提供金属栅极半导体器件及其制造方法。