本发明提供一种浅沟槽隔离结构及其制作方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底中形成具有第一宽度的第一子浅沟槽隔离结构；在半导体衬底上形成覆盖第一子浅沟槽隔离结构的第一外延层；在第一外延层中形成具有第二宽度的第二子浅沟槽隔离结构，第二子浅沟槽隔离结构位于第一子浅沟槽隔离结构的正上方，第二宽度大于第一宽度；在第一外延层上形成覆盖第二子浅沟槽隔离结构的第二外延层；在第二外延层中形成具有第三宽度的第三子浅沟槽隔离结构，第三子浅沟槽隔离结构位于第二子浅沟槽隔离结构的正上方，第三宽度小于第二宽度。该浅沟槽隔离结构呈“十”字形来保证载流子在阱区和阱区相对侧的晶体管的源/漏极之间的移动路径，以保证其隔离性。