一种快闪电可抹除唯读存储器装置的抹除方法，该方法包含有：在一F/N通道穿隧期间，对井电极与第二半导体区域施加一正极性的第一电压偏压，且对控制栅极电极施加一负极性的第二电压偏压；在F/N通道穿隧期间之后的缺陷减少期间，对井电极与第二半导体区域施加一正极性的第三电压偏压，且对控制栅极电极施加一第一零电压偏压；以及在缺陷减少期间之后的缺陷辅助穿隧期间，对控制栅极电极施加一负极性的第四电压偏压，且该井电极与该第二半导体区域施加一第二零电压偏压。