本发明涉及一种阵列基板及其制造方法，所述方法包括在基板上每个像素区中形成源极和漏极；在源极和漏极上形成有机半导体层和栅绝缘层，该有机半导体层具有岛状且接触源极和漏极的相对端，该栅绝缘层具有与有机半导体层相同的平面形状；在栅绝缘层上形成第一钝化层；在像素区的第一钝化层上形成栅极，该栅极与栅绝缘层对应；在栅极上形成第二钝化层，该第二钝化层具有暴露出漏极的漏极接触孔；和在第二钝化层上形成像素电极，该像素电极经由漏极接触孔接触漏极。