本发明公开了一种用于形成一存储器单元存取阵列的方法，其中存储器单元存取阵列包括一存储器装置，该存储器装置包括一存取装置，该存取装置包括具有一第一导电类型的一第一掺杂半导区域，与具有一第二导电类型的一第二掺杂半导体区域，该第二导电类型与该第一导电类型相反。该第一与该第二掺杂半导体区域两者皆形成于一单晶半导体衬底中，并定义一p-n结于其之间，该第一与第二掺杂半导体区域实现于形成在该单晶半导体衬底的多个分离的平行脊之中。每一脊呈钝齿状，而该些钝齿定义出多个半导体岛；该第一掺杂半导体区域占据该些岛的下部与该脊的上部，而该第二掺杂半导体区域占据该些岛的上部，是故该些p-n结定义于该些岛之中。