本发明提供一种利用离子注入及定点吸附工艺制备半导体材料的方法，先在Si衬底上外延至少一个周期的Si_xGe_1-x/Si（0≤x<1 ）超晶格结构，然后于超晶格结构上依次生长Si缓冲层及Si_zGe_1-z层，接着将H或He等离子注入至Si衬底并进行快速退火处理，使所述超晶格结构吸附上述离子，最终得到低缺陷密度、高弛豫度的Si_zGe_1-z层。与具有氧化层的Si衬底键合，并通过智能剥离可以制备低缺陷密度、高弛豫度的SGOI；在得到的弛豫Si_zGe_1-z层上外延小于临界厚度的应变硅，通过智能剥离的方法可以制备高应变度、低缺陷密度的绝缘体上的应变硅（sSOI）。本发明通过超晶格吸附离子增加了离子注入制备弛豫SiGe材料的稳定性，获得了低缺陷密度、高弛豫度的SiGe材料，降低了工艺难度，适用于工业生产。