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一种用于提取半导体纳米结构特征尺寸的方法
编号:S000019368
刷新日期:
有效日期至:
2020-10-12
浏览:
2435
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 湖北
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
合作研发
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明公开了一种用于提取半导体纳米结构特征尺寸的方法,包括待提取参数取值范围的划分,子光谱数据库的建立,支持向量机分类器训练光谱的生成,支持向量机分类器的生成、测量光谱的映射和在子光谱数据库中进行的最相似光谱搜索。与现有方法相比,本发明方法通过额外增加一个可以离线进行的支持向量机分类器训练环节,实现了将测量光谱映射到一个小范围的子数据库中。与在整个大数据库中进行最相似光谱检索相比,在子数据库中展开的检索所消耗的时间大大减少。并且,通过增加每个分类器中包含的类数,可以得到更小的子数据库,从而进一步加速参数的提取。该方法实现了参数的提取速度可预期与可控。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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