本发明公开了一种基于碳化硅的脉冲功率半导体开关的制备方法，包括：选择碳化硅作为N⁺衬底，并在其上依次外延生长P基区、掺氮的N基区以及掺铝的P⁺发射区；对所获得的P⁺发射区执行选择性光刻，刻蚀去除P⁺区表面上需要注入N⁺离子的部分然后注入N⁺离子，由此在整个端面上形成P⁺N⁺区交替排列的结构；在所形成的器件两端分别加工形成阴极电极和阳极电极；在阳极一端执行台面造型和钝化保护，由此完成整个脉冲功率半导体开关的制备过程。本发明还公开了相应的脉冲功率开关产品。通过本发明，能够使器件的阻断、通态和开关特征之间具有更大的折衷空间，在降低高重频条件下的散热要求同时提高高温条件下的可靠性，并显著改善产品的整体性能。