公开了半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。示例性半导体器件包括衬底，和设置在衬底上方的第一介电层。半导体器件还包括缓冲层，设置在衬底的上方以及介电层的沟槽的第一壁和第二壁之间。半导体器件还包括绝缘体层，设置在缓冲层的上方以及介电层的沟槽的第一壁和第二壁之间。半导体器件还包括设置在第一介电层和绝缘体层上方的第二介电层。此外，半导体器件包括鳍结构，设置在绝缘体层上方以及第二介电层的沟槽的第一壁和第二壁之间。本发明还公开了FinFET器件及其制造方法。