一种超薄横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括P型衬底，在P型衬底上设有埋氧层，在埋氧层上设有N型阱区及P型阱区，在N型阱区内设有N型缓冲区，在N型阱区上设有场氧化层，在N型缓冲区内设有N型漏区，在P型阱区内设有P型接触区和N型源区，在场氧化层下方设有由P型阱区单元构成的P型阱区阵列，所述P型阱区阵列位于N型缓冲区与P型阱区之间，P型阱区单元的宽度从N型缓冲区到P型阱区逐渐增大，本发明大大的增强了电平移位电路中超薄横向双扩散金属氧化物半导体场效应管抗高压寄生效应影响的能力，可以极大的提高智能功率模块的性能。本发明还公开了超薄横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的制备方法。