本发明公开了一种双应力薄膜的制造方法以及半导体器件，采用含氮气体沉积碳化硅薄膜，并采用碳氢化合物对所述碳化硅薄膜进行等离子体处理，再重复上述沉积碳化硅薄膜和等离子体处理步骤，直至形成目标厚度的碳化硅薄膜，减少了碳化硅薄膜中的氮的含量，避免后续光刻工艺中光阻失效而导致曝光效率的下降，从而影响最终应力目标值和均匀性的风险；同时，利用UV光照射碳化硅薄膜，经过UV光照射的碳化硅薄膜从压应力薄膜转变成拉应力薄膜，解决了氮化硅薄膜双应力薄膜不能满足一些先进器件RC delay的要求的问题，并且避免传统双应力薄膜工艺存在的交叠区域问题，从而防止因为交叠区域而造成良率的损失，工艺简单易实施。