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> 技术详情
半导体发光装置、发光二极管阵列及其制造方法
编号:S000019154
刷新日期:
有效日期至:
2020-11-24
浏览:
2380
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
合作研发
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
一种半导体发光装置、发光二极管阵列及其制造方法。半导体发光装置包括一基板及一第一外延结构位于基板之上。第一外延结构包括一第一掺杂层、一第一发光层、及一第二掺杂层。一第一电极耦合于第一掺杂层。一第二电极耦合于第二掺杂层且与第一电极面向相同之方向。一第二外延结构包括一第三掺杂层、一第二发光层、及一第四掺杂层。一第三电极耦合于第三掺杂层且与第一电极面向相同之方向。一第四电极耦合于第四掺杂层且与第一电极面向相同之方向。一黏着层位于第一外延结构和第二外延结构之间。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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