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半导体发光装置、发光二极管阵列及其制造方法
编号:S000019154 刷新日期: 有效日期至:2020-11-24 浏览:2564 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种半导体发光装置、发光二极管阵列及其制造方法。半导体发光装置包括一基板及一第一外延结构位于基板之上。第一外延结构包括一第一掺杂层、一第一发光层、及一第二掺杂层。一第一电极耦合于第一掺杂层。一第二电极耦合于第二掺杂层且与第一电极面向相同之方向。一第二外延结构包括一第三掺杂层、一第二发光层、及一第四掺杂层。一第三电极耦合于第三掺杂层且与第一电极面向相同之方向。一第四电极耦合于第四掺杂层且与第一电极面向相同之方向。一黏着层位于第一外延结构和第二外延结构之间。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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