本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及以黑硅为中间带材料的太阳能电池结构及其制作方法，该结构至上而下依次包括：迎光面n型硅外延层、广谱吸收的黑硅中间带结构层、背光面p型硅基衬底。其制备方法为在中间带结构层中，通过适当调控费米能级，使其穿过中间带，中间带的电子处于半满状态。因此材料内的电子不仅存在价带向导带的跃迁，还存在价带向中间带、中间带向导带的跃迁；同时，本发明的表面存在硅微锥结构，入射光在结构表面经多次反射被吸收。因此，本发明所提供的黑硅中间带太阳能电池结构，克服了现有传统硅基太阳能电池在吸收波段方面的限制，并且微锥结构使得表面具有良好的减反效果，从而提高了对太阳光谱的吸收率和转换效率。