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> 技术详情
氮化物半导体发光元件的制造方法
编号:S000019105
刷新日期:
有效日期至:
2020-11-19
浏览:
2587
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
技术转让
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
一种氮化物半导体发光元件的制造方法,该方法可以可靠地形成从发光元件表面引出的机械稳定的导线电极。预先在器件结构层上的第一电极层的周边形成结构保护牺牲层,在将器件结构层分离为发光元件的各个部分之后,粘接到支撑衬底上。随后,形成到达结构保护牺牲层的正锥形槽,并且在剥离步骤中剥离形成在该正锥形槽外面的倒锥形部。从而,在发光元件的正锥形侧壁上形成了绝缘层,并且在该绝缘层上形成了布线电极层,该布线电极层电连接到发光元件的主面上的第二电极层。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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