本发明的目的在于提供一种得到稳定的耐压的高耐压半导体装置及其制造方法。在第1导电类型的SiC外延层（12）的厚度方向一方侧的表面附近部中的、比第2导电类型的SiC区域（13）在SiC基板（11）的外周端侧的部分中，形成第2导电类型的JTE区域（15）。至少，在JTE区域（15）彼此接合的部分的厚度方向一方侧的表面附近部，形成第1导电类型的杂质的浓度高于SiC外延层（12）的第1导电类型的SiC区域（16）。