本发明公开了一种在管式基底上制备半导体薄膜的生产设备。本发明采用单槽多管方式，加热液体流入管式基底的内壁，从内部对管式基底加热，再通过管式基底加热反应溶液，反应溶液可以以常温状态存在，而不影响半导体薄膜生长的进行，能够使反应先在管式基底的外壁优先进行，从而节约溶液；采用独立恒温的高温加热箱提供高温的加热液体作为热源，使得半导体薄膜沉积的温度稳定，实现半导体薄膜沉积的高重复性；进一步采用将溢流结构与管式基底的内部加热有效的结合；采用反应溶液溢流循环系统实现溶液的实时更新，减少浓度降低对后期反应过程的影响，降低废液排放量，减少溶液注入量。本发明适用在各种管式基底上沉积半导体薄膜的工业化批量生产。