本热电材料设置有：半导体基板，形成在基板上的半导体氧化膜，和布置在氧化膜上的热电层。所述半导体氧化膜设置有第一纳米开口部，所述热电层是这样的形式：多个半导体纳米点堆积在第一纳米开口部上以具有粒子填充结构。多个纳米点中的至少一些在其表面中形成有第二纳米开口部，并且通过第二纳米开口部彼此连接，且其晶体取向彼此对齐。该热电材料可以通过以下步骤生产：氧化半导体基板，借此在其上形成半导体氧化膜的步骤；在氧化膜中形成第一纳米开口部的步骤；和通过外延生长在第一纳米开口部上堆积多个纳米点的步骤。通过该构造能够获得具有极好的热电变换性能的热电材料。