一种单片集成功率半导体器件的固体继电器，属于电力电子技术领域。包括集成于同一衬底上的光电池阵列、控制电路和输出端功率半导体器件；光电池阵列由若干个光电池串联而成，每个光电池单独处于衬底的一个V型槽内；控制电路由双极型晶体管和二极管组成，每个晶体管或二极管单独处于衬底的一个V型槽内；输出端功率半导体器件作为整个固体继电器的输出元件，单独处于衬底的一个V型槽内。本发明在同一衬底的V型槽底部引入N+埋层，使得VDMOS、LDMOS或LIGBT等功率半导体器件能够与光电池阵列和控制电路集成于同一衬底，从而有效地减小了固体继电器的封装难度，减少了器件的寄生效应，并提高了器件的可靠性。