本发明涉及具有穿孔接触的半导体器件及其制造方法。根据一个实施例，形成半导体器件的方法包括：提供具有半导体衬底和介质区的晶圆，该半导体衬底具有第一侧和与第一侧相对的第二侧，介质区位于第一侧上；将晶圆的第一侧安装在载体系统上；从第二侧穿过半导体衬底至介质区蚀刻深度垂直沟槽，从而使台面区与其余的半导体衬底绝缘；以及用介质材料填充深度垂直沟槽。