本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括：步骤一：提供一衬底，衬底包括高压器件区域和低压器件区域，高压器件区域和低压器件区域由浅沟槽隔开，在所述衬底上形成覆盖高压器件区域和低压器件区域的衬垫氧化层，在所述衬垫氧化层和浅沟槽上形成硬掩膜层；步骤二：采用干法刻蚀去除高压器件区域上的部分硬掩膜层；步骤三：采用第一清洗液去除高压器件区域和浅沟槽交叠部分的部分厚度的浅沟槽，以使残留在高压器件区域和浅沟槽交界处的硬掩膜层暴露出来；步骤四：采用第二清洗液去除残留在高压器件区域和浅沟槽交界处的硬掩膜层。采用上述半导体器件的制造方法，可以有效改善了高压器件栅氧层的形貌，从而提高高压半导体器件的可靠性能。