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氮化物半导体元件和氮化物半导体晶片
编号：S000018257
刷新日期：
有效日期至：
2020-10-06
浏览：
2280
次
对接邀请：
0
次
意向价格：
面议
所在区域：
中国 -
技术领域：
智能制造 - 装备制造业
转让类型：
技术转让
专利类型：
发明专利
技术成熟度：
可以量产
供应描述
本发明涉及一种氮化物半导体元件和氮化物半导体晶片。根据一个实施例，氮化物半导体元件包括基础层、功能层和堆叠体。在基础层与功能层之间提供堆叠体。堆叠体包括第一堆叠中间层，所述第一堆叠中间层包括第一GaN中间层，Al
x1
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式：
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